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PRODUCTS CENTER當(dāng)前位置:首頁(yè)產(chǎn)品中心MDPFreiberg-MDPictsMDP微波探測(cè)光誘導(dǎo)電流瞬態(tài)譜儀--少子壽命
產(chǎn)品分類
PRODUCT CLASSIFICATION?產(chǎn)品介紹
德國(guó)Freiberg Instruments的MDPicts(MDP微波探測(cè)光誘導(dǎo)電流瞬態(tài)譜儀--少子壽命),非接觸且無(wú)損傷,用于溫度依賴的少數(shù)載流子壽命測(cè)量以及半導(dǎo)體的界面陷阱和體陷阱能級(jí)的電性能表征。MDpicts(MDP微波探測(cè)光誘導(dǎo)電流瞬態(tài)譜儀--少子壽命)將在半導(dǎo)體材料的基礎(chǔ)研究與開(kāi)發(fā)領(lǐng)域取得廣泛的應(yīng)用。
?設(shè)備特點(diǎn)
--靈敏度:對(duì)半導(dǎo)體材料電學(xué)缺陷有非常高的靈敏度
--溫度范圍:液氮(77k)至500k??蛇x:液氦(4k)或更高溫度
--衰減常數(shù)范圍:20納秒到幾毫秒
--沾污檢測(cè):電學(xué)陷阱基本性能確定:激活能和陷阱的俘獲截面,受溫度和注入 水平影響的少子壽命參數(shù)等
--重復(fù)性:> 99.5%,測(cè)量時(shí)間:< 60分鐘。液氮消耗:2升/次
--靈活性:從365 nm 到1480nm,根據(jù)不同材料選擇不同波長(zhǎng)激發(fā)光源
--可訪問(wèn)性:基于IP的系統(tǒng)允許來(lái)自世界任何地方的遠(yuǎn)程操作和技術(shù)支持
圖1. 與溫度有關(guān)的載流子發(fā)射瞬態(tài)
圖2. 不同缺陷的評(píng)價(jià)
從Arrhenius斜率(圖3)可以確定活化能
圖3.Arrhenius曲線圖
利用這種新型MDPpicts設(shè)備,可在20~500k范圍內(nèi)測(cè)量溫度依賴性的瞬態(tài)光電導(dǎo)。
Si, GaAs, InP, SiC和其他很多半導(dǎo)體材料已成功采用了這種方法進(jìn)行研究。
圖4. 不同溫度的Cz-Si晶圓片的MD-PICTS圖譜
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